Devrimsel 3D X-DRAM bellek teknolojisi duyuruldu: 4TB RAM’lere hazır olun!
İnanç Can Çekmez
SSD’lerden ilham alındı
4 TB RAM’ler geliyor
NEO Semiconductor, 3D X-DRAM’in kapasitörsüz yüzen gövde hücre teknolojisine dayanan 3D NAND gibisi bir DRAM hücre dizisi yapısı kullandığını söylüyor. Bu hücre yapısı, süreçteki adım sayısını kolaylaştırarak 3D sistem belleği üretimi için “yüksek süratli, yüksek yoğunluklu, düşük maliyetli ve yüksek verimli bir çözüm” sağlıyor. NEO Semiconductor, yeni 3D X-DRAM teknolojisinin 230 katmanla 128 Gb yoğunluğa ulaşabileceğini kestirim ediyor ki bu da günümüzün DRAM yoğunluğundan 8 kat daha büyük.