Güney Koreli teknoloji devi Samsung Electronics, geçtiğimiz yıla kıyasla işletme kârında %15’lik bir düşüş raporladı. Şirket, bellek yongalarına olan talebin azalmasının bu düşüşün nedeni olduğunu belirtti. Sanayi analistleri, Samsung’un bellek modülü üretimini %25 civarında azaltabileceğini öngörüyor.
Daishin Securities’tan Yarıiletken Analisti Minbok Wi, Samsung’un 2023’ün birinci yarısında bellek yongası üretimini %20 ila %25 oranında azaltabileceğini iddia ediyor. KB Securities ise, Samsung’un Q3 2023’ten itibaren NAND flaş yongası üretimini %15 ve DRAM yongası üretimini %20’den fazla azaltacağını öngörüyor. Fakat Samsung Securities’te Analist olan Min Seong Hwang, stok düzeylerinin beklenenden daha düşük kalması durumunda şirketin üretimi daha da azaltabileceğine inanıyor.
Samsung, orta ve uzun vadeli talebi karşılamak için kâfi bellek yonga stoku olduğunu belirtti ve eski eserlerin üretimini azaltacağını açıkladı.
Samsung, kıymetli bölümlerin birinde daha kan kaybetmeye başladı
Şirket, hangi bellek yongalarının üretiminde azalma olacağını belirtmedi, lakin The Korea Herald, düşen talep nedeniyle Samsung’un düşük maliyetli DRAM modüllerinin üretimini azaltacağını bildirdi. Bunun yerine, şirket, DDR5 üzere ileri bellek yongalarına odaklanacak.
Piyasa trendleri Samsung için olumsuz olmasına karşın, kimi analistler, 2024 yılında bir toparlanmanın mümkün olduğunu düşünüyor. Şimdilik, 8GB DDR4 RAM modülünün ortalama kontrat fiyatı geçtiğimiz ay %19,9 oranında düştü ve fiyatların %15 ila %20 oranında daha düşeceği kestirim ediliyor.
Bu kesintiler, yonga sanayisindeki öbür büyük oyuncuları da etkileyecek üzere görünüyor. Bilhassa, yüksek talep nedeniyle DRAM modüllerinin fiyatlarının arttığı 2018’den bu yana, üreticiler stoklarını artırdı ve üretimi hızlandırdı. Fakat, pandemi sürecinde çip krizi yaşanması, birçok üreticiyi kısa vadede çıkar sağlamaya teşvik etti ve stokları düşürmek için üretimi artırdılar. Bu da, talep düştüğünde piyasadaki arz fazlasının artmasına neden oldu ve sonuçta fiyatların düşmesine yol açtı.