San Jose merkezli NEO Semiconductor, 3D istifleme teknolojisi ile DRAM yonga yoğunluğunu artırmaya yönelik çığır açıcı bir tahlil olarak isimlendirdiği teknoloji piyasaya süryor. Yeni bellek yongaları DRAM kapasitesini büyük ölçüde artırırken düşük maliyetiyle dikkat çekiyor. Firmaya nazaran geliştirdikleri 3D X-DRAM teknolojisi sayesinde DRAM’in kapasite darboğazı çözülecek.
SSD’lerden ilham alındı
NEO Semiconductor, 3D X-DRAM’in DRAM bellek için dünyanın birinci 3D NAND gibisi teknolojisi olduğunu, DRAM’in kapasite darboğazını çözmek için geliştirilen bir tahlil olduğunu ve “tüm 2D DRAM pazarının” yerini alacağını söylüyor. Şirket, tahlilinin rakip eserlerden daha âlâ olduğunu, zira bugün piyasadaki öteki seçeneklerden çok daha kullanışlı olduğunu belirtiyor. Firma, 3D NAND teknolojilerinden (SSD’lerde kullanılan) ilham alarak 3D X-DRAM teknolojisini geliştirdiğini aktarıyor. Yeni belleklerin üretiminin ise mevcut altyapılar ile gerçekleştirileceği de belirtiliyor. 4 TB RAM’ler geliyor
Şirketin yol haritasına nazaran 3D X-DRAM ile 2030 yılına kadar 1Tb (1 terabit) entegre devrelere ulaşılacak. 1Tb entegre devreler, tek bir RAM’de rahatlıkla 2 TB kapasiteleri mümkün kılıyor -her bir tarafında 8 yonga bulunan RAM’ler ile birlikte. Şayet 32 entegre yongaya sahip RAM’ler yapılmak istenirse bu kapasite 4 TB seviyelerine kadar çıkabilecek. Elbette 4 TB bellek sıradan bir kullanıcının gereksinimi olan bir şey değil lakin bilginin datalardan ibaret olduğu ve her yıl inanılmaz seviyede dijital bilginin üretildiğini düşünürsek yeni RAM’ler sunucular için devrim yaratabilir. NEO Semiconductor, 3D X-DRAM’in kapasitörsüz yüzen gövde hücre teknolojisine dayanan 3D NAND gibisi bir DRAM hücre dizisi yapısı kullandığını söylüyor. Bu hücre yapısı, süreçteki adım sayısını kolaylaştırarak 3D sistem belleği üretimi için “yüksek süratli, yüksek yoğunluklu, düşük maliyetli ve yüksek verimli bir çözüm” sağlıyor. NEO Semiconductor, yeni 3D X-DRAM teknolojisinin 230 katmanla 128 Gb yoğunluğa ulaşabileceğini kestirim ediyor ki bu da günümüzün DRAM yoğunluğundan 8 kat daha büyük.
